据华尔街日报(WSJ)报道,台积电正在向美国政府寻求150亿美元的建厂补贴,但反对一些附加条件,如分享超额利润等。市场分析,该金额占美国芯片法案提供补助资金占比近三成,台积电是否顺利取得补助,不仅仍待与美国政府协调,也考验台积电能否在商业利益与政治判断上取得平衡。
援引知情人士报道,台积电对可能要求其分享工厂利润,并提供详细营运资讯的规定,感到担忧,台积电去年12月把亚利桑那州建厂计划的投资规模增加两倍多,攀抵400亿美元,美国芯片法案将提供530亿美元资金,协助美国恢复在半导体领域的制造实力,外界预期,英特尔、台积电和三星都会申请先进制程建厂补助。
知情人士透露,根据美国芯片法案,台积电可望获得约70-80亿美元的税额减免,台积电也正在争取商务部的补助款,希望在亚利桑那州的两座工厂,可分别获得约60-70亿美元的补贴,使来自美国政府的补贴总额达到150亿美元。
台积电19日未回应市场相关传闻,台积电将于今天召开法说会,除了营运展望之外,预料美国布局等相关议题将是会中焦点,台积电已于美国亚利桑那州设立新厂,第一阶段将于2024年量产4纳米,符合美方补助条件,不过,台积电董事长刘德音日前表态,无法接受该法案提供补助的部分条件,还须再讨论,台积公司的目标是减轻这些负面影响,并将继续与美国政府进行协商。
刘德音并未透露无法接受美国芯片法案哪部分的限制,但业界分析,台积电应是对美国商务部所提,申请补助厂商十年内将不得在“受关注国家”,也就是中国进行扩充,其余还包括提出相关商业秘密等给美方,以利查核是否将补助款用于购买库藏股或配发股息等限制用途。
业界分析,由于台积电获补助金额绝不会超过英特尔等美国厂商,台积电有本事不靠申请补助款,与各大芯片厂竞争,这也是台积电握有筹码可以和美国商务部谈条件的凭借。
综观台积电海外布局,不仅美国亚利桑那州厂投资金额扩增至400亿美元,将投入4纳米及3纳米制程生产,并在日本熊本投资建厂,预计2024年底前以28纳米、22纳米、16纳米及12纳米制程生产。